【摘 要】
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针对系统级封装技术( SIP,system in package)详细分析了穿透性硅通孔(TSV,through silicon via)的半径、高度和绝缘层厚度等物理结构对于三维系统级封装传输性能的影响,提出
【机 构】
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北京信息科技大学信息微系统研究所,北京大学 微米/纳米加工技术国家级重点实验室
【出 处】
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北京信息科技大学学报（自然科学版）
【基金项目】
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中国国家高技术研究发展计划项目;国家自然科学基金;北京市自然科学基金;北京邮电大学泛网无线通信教育部重点实验室项目
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针对系统级封装技术( SIP,system in package)详细分析了穿透性硅通孔(TSV,through silicon via)的半径、高度和绝缘层厚度等物理结构对于三维系统级封装传输性能的影响,提出了TSV吉赫兹带宽等效电路模型,并提取出其电阻、电容、电感等无源元件值,对于所提出的电路模型进行了时域分析,仿真给出了眼图.
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