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对近空间升华制备的CdTe薄膜进行了CdCl2气氛下热处理。测量了样品在室温下的交流阻抗特性,基于恒相位角元件（CPE）等效电路拟合所测量的复阻抗谱,分析了退火工艺对CdTe薄膜的晶粒体电阻、晶界电阻、弛豫时间的影响。结果表明,随退火温度的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,弛豫时间缩短。
含氯气氛退火对CdTe薄膜性质影响的交流阻抗研究
【摘 要】
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对近空间升华制备的CdTe薄膜进行了CdCl2气氛下热处理。测量了样品在室温下的交流阻抗特性,基于恒相位角元件（CPE）等效电路拟合所测量的复阻抗谱,分析了退火工艺对CdTe薄膜的晶
【机 构】
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四川大学材料科学与工程学院
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2011年12期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划（863计划）资助项目（2009AA050601）
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