【摘 要】
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双极集成电路的单事件扰动(SEU)是双极晶体管各个区域中的离子轨迹收集电荷造成的。本文给出了有关重离子(Br)的射程-能量特性方面获得的一些实验数据,这种射程-能量特性被用
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双极集成电路的单事件扰动(SEU)是双极晶体管各个区域中的离子轨迹收集电荷造成的。本文给出了有关重离子(Br)的射程-能量特性方面获得的一些实验数据,这种射程-能量特性被用于测定软误差产生剖面随穿过双极静态RAM的单粒子轨迹中的收集电荷而变化的关系。测定的结果为实验验证双极IC的电路模拟SEU模型提供了根据。
The single event perturbation (SEU) of a bipolar integrated circuit is caused by the collection of charges by the ion trajectories in the various regions of the bipolar transistor. This article presents some experimental data on the range-energy characteristics of heavy ions (Br) that are used to measure the collection of soft-error-producing profiles with single-particle trajectories passing through a bipolar static RAM The relationship between charge and change. The results of the experiment provide the basis for the experimental verification of bipolar IC circuit simulation SEU model.
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