金属与超薄非晶硅薄膜的接触特性研究

• 作 者: 刘美玲 俞健 卞剑涛 张丽平 孟凡英 刘正新
• 机 构: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心,中国科学院大学
• 出 处: 太阳能学报
• 发表日期: 2016年11期
• 关键词: ultrathin film amorphous silicon ohmic contact low temperature annealing specifi

研究金属与非晶硅薄膜（a-Si：H）的接触特性，用于晶体硅异质结太阳电池新型电极技术开发。采用等离子体增强的化学气相沉积（PECVD）技术制备超薄（～10nm）a-Si：H薄膜，利用真空镀膜技术制作金属电极，采用圆点传输线模型（cDTLM）研究a-Si：H与不同金属（A1、Ni、Ti、In）的接触特性。低温退火后a-Si：H与Ni、AI、Ti可获得良好的欧姆接触。经200℃退火，P型非晶硅p-a-Si：H与Al的比接触电阻降至0．3mΩ·cm2；n型非晶硅nIa-Si：H与Ti的比接触电阻降至0