【摘 要】
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采用了Lee T D,et al变分法和Jiang H X强微扰理论计算在磁场作用下量子阱中类氢杂质的束缚能,考虑了电子与纵光学声子LO和面光学声子SO之间的互相作用,得到类氢杂质束缚能随
【机 构】
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武汉理工大学理学院,武汉理工大学信息工程学院,
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采用了Lee T D,et al变分法和Jiang H X强微扰理论计算在磁场作用下量子阱中类氢杂质的束缚能,考虑了电子与纵光学声子LO和面光学声子SO之间的互相作用,得到类氢杂质束缚能随磁场根方增加,随阱宽增加而减小,电子自能不受磁场影响。
The binding energies of hydrogen-like impurities in quantum wells under magnetic field are calculated by Lee TD, et al. Variational method and Jiang HX strong perturbation theory. The relationship between electron and longitudinal optical phonon LO and phonon SO Interact with each other to get hydrogen-like impurity binding energy increases with the root of the magnetic field, with the increase of the well width decreases, the electron can not be affected by the magnetic field.
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