• 不 限
  • 期刊论文
  • 硕博论文
  • 会议论文
  • 报 纸
  • 英文论文
  2. 您的位置
  3. 首页
  4. 期刊论文
  5. 厚胶光刻工艺技术

厚胶光刻工艺技术

来源 :电子元器件应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户：songzs1203
【摘 要】
：
通过对Ma-P100正性厚胶光刻技术的研究，初步解决了厚胶工艺易出现的胶的均匀性问题，厚胶长时间曝光工艺，用普通曝光机获得了厚度为60μm，分辨率为20μm的厚胶图形。
【作 者】
：
孙丽玲 
【机 构】
：
西安微电子技术研究所
【出 处】
：
电子元器件应用
【发表日期】
：
2003年2期
【关键词】
：
厚胶光刻工艺 抗蚀剂 Ma-p100 曝光工艺 集成电路 Photolighograph  Resist  Process 
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文 赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
通过对Ma-P100正性厚胶光刻技术的研究，初步解决了厚胶工艺易出现的胶的均匀性问题，厚胶长时间曝光工艺，用普通曝光机获得了厚度为60μm，分辨率为20μm的厚胶图形。
其他文献