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本文着重研究了SiC晶体微管道测量的两种方法,即KOH腐蚀法和不腐蚀测试法,并对方法及其测量结果进行比较分析,实现对SiC单晶微管道缺陷这一表征SiC单晶质量的重要参数的快速准确的测量。
碳化硅单晶微管道缺陷测试研究
【摘 要】
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本文着重研究了SiC晶体微管道测量的两种方法,即KOH腐蚀法和不腐蚀测试法,并对方法及其测量结果进行比较分析,实现对SiC单晶微管道缺陷这一表征SiC单晶质量的重要参数的快速
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所,西安电子科技大学
【出 处】
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科技信息
【发表日期】
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2011年15期
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