PZT铁电薄膜的离子束刻蚀表面形貌研究

• 作 者: 罗远东 朱学进 彭强祥 刘巧灵 廖佳佳
• 机 构: 湘潭大学材料科学与工程学院
• 出 处: 湘潭大学学报:自然科学版
• 发表日期: 2019年3期
• 关键词: 溶胶-凝胶法 锆钛酸铅 离子束刻蚀 表面粗糙度 sol-gel methodPZTion beam etchingsurface roughness
• 基金项目: 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题(SKLIPR1513).

采用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了约200nm厚的PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜,然后用氩离子束对PZT薄膜进行刻蚀.研究了不同的离子束刻蚀工艺参数(如离子束入射角θ、屏级电压Us和氩气流量FAr)对PZT薄膜刻蚀速率及表面粗糙度的影响.采用原子力显微镜(AFM)对PZT薄膜的表面微观形貌和表面粗糙度值Rq(均方根值)和Ra(算术平均值)进行测试和分析,通过探针式表面轮廓分析仪测量刻蚀深度d并计算出刻蚀速率Vetc.结果表明:刻蚀速率Vetc严重依赖于离子束入射角θ,在