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给出了Y分支MZI热光调制器的模型，实验研制了基于SOI（silicon-on-insulator）的MZI热光调制器，调制器的消光比为－16．5dB，开关的上升时间为10μs，下降时间为20μs，相应的功耗为0．39W。
快速响应SOI马赫曾德热光调制器
【摘 要】
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给出了Y分支MZI热光调制器的模型，实验研制了基于SOI（silicon-on-insulator）的MZI热光调制器，调制器的消光比为－16．5dB，开关的上升时间为10μs，下降时间为20μs，相应的功耗为0．39W。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,山东大学人工晶体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2002年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 ,69990 5 40 ) ,,国家科技部“973”计划 ( No.G2 0 0 0 -0 3-66)资助项目~~
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