CdZnTe晶体表面Au电极薄膜的制备及其欧姆接触性质

• 作 者: 谢经辉 刘雨从 王超 殷子薇 陈嘉栋 邓惠勇 沈悦 王林军
• 机 构: 上海大学材料科学与工程学院,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所常州光电技术研究所
• 出 处: 无机材料学报
• 发表日期: 2018年3期
• 关键词: 碲锌镉 Au薄膜制备 欧姆接触 交流阻抗谱 CdZnTe Au film preparation Ohmic contact AC impedance spec
• 基金项目: 国家自然科学基金（61290304,2012CB619200）,科技部重大研发计划（2016YFB0402405,2016YFA0202201）,上海市科委基金（16ZR1441200,15520500200）,中国科学院前沿重点项目（QYZDJ-SSW-SLH018）

为了研究不同制备工艺对电极欧姆接触特性的影响,分别采用真空蒸发法、溅射法及化学沉积法在CdZnTe晶片表面制备了Au薄膜电极,通过测试样品的SEM、I-V曲线及交流阻抗谱,研究了不同电极制备工艺及退火处理对Au薄膜电极的微观结构及欧姆接触特性的影响。结果表明化学沉积法制备的Au薄膜表面更加平整、致密,接触势垒的高度较低,电极欧姆接触特性最好。退火处理可以改善电极的欧姆接触特性,100℃退火后,化学沉积法制备的Au电极的欧姆系数由0.883提高至0.915,势垒高度由0.492降低至0.487 e V。交流