【摘 要】
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1994年国际电子器件会议于12月11日在美国旧金山召开。会议上讨论了当今世界最先进的微电子器件技术。1．MOS晶体管制作工艺技术会议上发表了若干篇有关制作微细、高性能MOS晶
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1994年国际电子器件会议于12月11日在美国旧金山召开。会议上讨论了当今世界最先进的微电子器件技术。1．MOS晶体管制作工艺技术会议上发表了若干篇有关制作微细、高性能MOS晶体管技术论文。三菱公司的论文指出，既使在硅凝合离子注入制作浅结时，采用无泄漏COSi：法可制作条宽
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