超LSI用的抗蚀剂

• 作 者: 娄兰芳 马钟锦
• 出 处: 电子工艺技术
• 发表日期: 1991年3期
• 关键词: VLSI 抗蚀剂 集成电路

<正> 图1是DRAM的集成度和最小线宽的关系及其估计使用的抗蚀剂。现在,最小线宽为0.8μm的4MDRAM的集成电路已在大批生产,而0.5μm的16MDRAM的已在试制。本文将对制造超LSI必不可少的微光刻术用的抗蚀剂研制动向和展望进行概述。作为超LSI用的抗蚀剂,根据曝光所用的光源,相应地可举出g线(光波长436nm)、i线(光波长365nm)用的光致抗蚀剂以及激元激光用的抗蚀剂、电子束用抗蚀剂,于显影抗蚀剂、X射线抗蚀剂等等。现以实用性高的g线及i线用的抗蚀剂为中心进行介绍。