【摘 要】
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南京电子器件研究所已研制成功 WFB1 0 0、WFB1 0 1、WFH1 6 1 8- 2、WFH2 2 2 3- 2型砷化镓功放模块 ,其基本特性如下 :型号 WFB1 0 0 WFB1 0 1 WFH1 6 1 8- 2 WFH2 2 2 3-
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南京电子器件研究所已研制成功 WFB1 0 0、WFB1 0 1、WFH1 6 1 8- 2、WFH2 2 2 3- 2型砷化镓功放模块 ,其基本特性如下 :型号 WFB1 0 0 WFB1 0 1 WFH1 6 1 8- 2 WFH2 2 2 3- 2频率范围 /GHz 2 .2～ 2 .31 0 .7～ 1 1 .71 .6～ 1 .82 .2～ 2 .3功率增益 /d B 47～ 5 0 1 5～ 1 8
Nanjing Institute of Electronic Devices has successfully developed WFB1 0 0, WFB1 0 1, WFH1 6 1 8 2, WFH2 2 2 3 2 GaAs amplifier module, the basic characteristics are as follows: Model WFB1 0 0 WFB1 0 1 WFH1 6 1 8- 2 WFH2 2 2 3- 2 Frequency Range / GHz 2 .2 ~ 2 .31 0 .7 ~ 1 1 .71 .6 ~ 1 .82 .2 ~ 2 .3 Power Gain / d B 47 ~ 50 1 5 ~ 1 8
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