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在高密度比特位动态随机存储器（ＤＲＡＭ）芯片的发展中，随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用，互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出，已成为不可忽视的重要因素，对互连寄生电容提取软件提出了紧迫的要求。本文介绍一个基于直接边界元素法的精度高，速度快，并可适应复杂堆叠（ｓｔａｃｋｅｄ）电容器结构的互连寄生电容模拟软件，并通过实例计算，分析ＤＲＡＭ中互连线寄生电容对电路性能的