集成电路中金属连线下多晶硅电阻的不稳定性分析及抑制方法

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sunyb_sky
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作为集成电路的电阻单元,掺硼的多晶硅电阻在千欧级的范围内存在阻值不稳定性,尤其在金属连线下更为严重.分析了不同工艺条件下制作的多晶硅电阻电特性和晶格特性.结果表明,阻值的不稳定性主要由载流子迁移率改变引起.通过测试和运用Seto’s模型计算进一步发现,在铝连线底下势垒高度和俘获的电荷密度均有降低.电荷的俘获/反俘获在多晶硅晶粒边界发生引起势垒高度的变化,从而导致阻值不稳定.然后,借助于补偿的离子注入制作了高稳定的、阻值在千欧级的多晶硅电阻.该方法使得多晶硅晶粒边界电荷的俘获/反俘获对氢退火不敏感.
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