钐元素Kα荧光能谱及荧光产额的研究

• 作 者: 霍彬彬 陈威 吴金杰 左国平 张帅 李婷
• 机 构: 南华大学,中国计量科学研究院,成都理工大学,中国石油大学
• 出 处: 计量学报
• 发表日期: 2017年6期
• 关键词: 计量学 K荧光 K吸收限 蒙特卡洛模拟 metrology K fluorescence K absorption edge Monte Carlo si

针对钐元素的K荧光能谱进行研究分析，利用MCNP程序模拟荧光装置，计算得到荧光产额及荧光纯度随辐射体氧化钐（Sm2O3）厚度和次级过滤材料氧化（CeO2）厚度的变化关系：Sm203厚度为0．4mm时，K荧光产额达到饱和；CeO2为0．55mm时，Kα荧光纯度达到最大值96．6％；实验显示，X光机管电压越大，荧光产额越大；管电压为80kV时，荧光纯度达到最高82．3％。