【摘 要】
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采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶。通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃。和其它R2PdSi3型化合物(R为稀土元素)不同
【机 构】
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长安大学材料科学与工程学院,西北工业大学凝固技术国家重点实验室,莱布尼兹固态及材料科学研究所,德累斯顿工业大学固态物理所,
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采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶。通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃。和其它R2PdSi3型化合物(R为稀土元素)不同,在单晶基体中没有发现TbSi沉淀,分析原因可能是因为晶体中Tb含量略高于化学计量比。采用X射线Laue背散射实验对晶体的晶格结构和高完整性进行了验证,并对定向单晶的a和c方向磁化率-温度曲线进行了测定。
The Tb2PdSi3 single crystal was successfully prepared by using the radiation heating and suspension zone melting method at a growth rate of 3 mm / h. The analysis shows that the compound is a melting compound with the same composition and has a melting point of about 1700 ° C. Unlike other R2PdSi3 compounds (R is a rare earth element), no TbSi precipitate was found in the single crystal matrix, probably because the content of Tb in the crystal was slightly above the stoichiometric ratio. The X-ray Laue backscattering experiment was used to verify the crystal structure and high integrity of the crystal, and the magnetic susceptibility-temperature curves of a and c in the oriented single crystal were measured.
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