低阻金属／P—GaN欧姆接触的研究进展

• 作 者: 陈福寿 岳恩
• 机 构: 中航重庆微电子,重庆材料研究院
• 出 处: 材料导报
• 发表日期: 2015年24期
• 关键词: P—GaN 欧姆接触 金属化方案 极化效应 P GaN ohmic contact metallization scheme polarization

GaN由于在光电子、高温大功率器件和高频微波器件等方面广阔的应用前景而被作为当前化合物半导体的研究热点。虽然低电阻率和高热稳定性的金属/P-GaN欧姆接触研究近年取得了极大的发展,但其仍然是GaN基器件发展的瓶颈因素之一。通过对目前低阻欧姆接触方案介绍和对比,以期探讨优良金属/P-GaN欧姆接触的一般设计原则与研究方向。