【摘 要】
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以热重-差热(TG-DTA)、流动氮气气氛中不同裂解温度下产物的X射线衍射(XRD)和元素线扫描(ELEM)方法研究了含活性填料Al, 惰性填料SiC的聚碳硅烷(PCS)先驱体的裂解-反应机理.
【机 构】
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国防科技大学航天与材料工程学院,长沙,410073
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以热重-差热(TG-DTA)、流动氮气气氛中不同裂解温度下产物的X射线衍射(XRD)和元素线扫描(ELEM)方法研究了含活性填料Al, 惰性填料SiC的聚碳硅烷(PCS)先驱体的裂解-反应机理.研究表明, PCS的裂解从400 ℃左右开始, 800 ℃时基本完全. 体系由于裂解产生挥发性小分子而失重.当体系中含有PCS特别是SiC微粉时, Al的氮化温度会大大下降, 转化率大大提高, SiC起着类似催化剂的作用.当裂解温度升高至600 ℃时, Al微粉开始熔化, 与SiC或PCS的中间裂解产物[PCS]作用, 形成中间体[Ala Cb]和[Si].随着温度的升高, 中间体与保护气氛N2发生氮化反应, 形成Al N和SiC.当裂解温度上升至1 000 ℃时, 反应基本完成.
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