Lu2Si2O7：Ce闪烁晶体的生长与宏观缺陷研究

• 作 者: 李焕英 秦来顺 陆晟 任国浩
• 机 构: 中国科学院上海硅酸盐研究所
• 出 处: 无机材料学报
• 发表日期: 2006年3期
• 关键词: 闪烁晶体 LPS:Ce晶体 缺陷 包裹物 scintillation crystal LPS：Ce crystal defects inclusions

用提拉法生长了Lu2Si2O7：Ce晶体，讨论了晶体生长过程中的几个问题；（1）熔体挥发；（2）晶体开裂；（3）层状包裹．生长过程中LPS和SiO2均存在挥发，其中后者占主导；LPS挥发不会造成组分偏析，因此对生长过程没有负面的影响．接种温度偏低导致晶体出现多晶化和晶体中较大的热应力是促使开裂发生的主要原因．层状包裹现象的出现主要是由于该晶体的结晶温度范围狭窄，熔体容易出现组分过冷，以及生长设备的温控系统精度不高等造成的．