【摘 要】
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以MTS为先驱体原料,在950-1300℃、负压条件下沉积了CVD SiC涂层．利用SEM对涂层的表面形貌和断口特征进行了表征．沉积温度和SiC涂层表面形貌的关系如下:950℃时,沉积的SiC颗粒
【机 构】
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国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室
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以MTS为先驱体原料,在950-1300℃、负压条件下沉积了CVD SiC涂层．利用SEM对涂层的表面形貌和断口特征进行了表征．沉积温度和SiC涂层表面形貌的关系如下:950℃时,沉积的SiC颗粒非常细小,为独立的球形堆积;1000-1100℃时,CVD SiC涂层表面光滑、致密;1150-1300℃沉积的SiC涂层呈现出球状或瘤状结构且表面粗糙．结合热力学和晶体形核-长大理论,研究了沉积温度对SiC涂层表面形貌的作用机制．沉积温度和SiC涂层断口形貌的关系如下:1200℃以下沉积的SiC涂层断面致密、无孔洞;而1300℃沉积的SiC涂层断面非常疏松．利用岛状生长模型揭示了SiC涂层内部显微结构的形成机理．
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