Ni(110)上Gd薄膜氧化的同步辐射光电子能谱研究

• 作 者: 朱俊发 徐法强 孙玉明 王险峰 陆尔东 徐彭寿 张新夷 庄叔贤
• 机 构: 中国科学技术大学化学物理系,中国科学技术大学国家同步辐射实验室,中国科学技术大学国家同步辐射实验室,中国科学技术大学化学物理系,中国科学技术大学国家同步辐射实验室,中国科学技术大学国家同步辐射实验室,
• 出 处: 自然科学进展
• 发表日期: 1999年09期
• 关键词: 同步辐射 Gd Ni 光电子能谱 氧物种 氧吸附 暴露量 晶格氧 高温退火 原位生长

用同步辐射软X射线光电子能谱和X射线光电子能谱(XPS)研究了室温下氧与原位生长于Ni(110)上的Gd薄膜及Gd-Ni复合薄膜的相互作用。氧在3.7 nm的Gd膜上有很高的初始粘附几率。Gd4f双峰中的高结合能峰随氧暴露量的增加逐渐衰减,在吸附了50L的氧并在高温(800K)退火后几乎彻底消失。0～50L的氧暴露量范围内O 1s XPS峰的结合能为529.6eV,来自晶格氧。Gd/Ni(110)轻微氧化再经高温退火而形成的复合薄膜表面上,氧的吸附引起Gd在表面的偏析和进一步氧化,并可检测到化学吸附的O~-和晶格氧两种氧物种。对氧化机理和表面氧物种的本质与衍变进行了讨论。