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表面声波在GaAs/AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时,在通道中诱导产生声电电流.采用WKB近似,计算了只有一个电子被量子阱俘获时的声电电流;并在此基础上,详细讨论了表面声波的频率和功率,以及门电压和源漏偏压对声电电流的影响.
准一维电子通道中声电电流的理论计算
【摘 要】
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表面声波在GaAs/AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时,在通道中诱导产生声电电流.采用WKB近似,计算了只有一个电子被量子阱俘获时的声电电流;并
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院,成都,610064
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年10期
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