集成铜电极的聚甲基丙烯酸甲脂电泳芯片的制作

• 作 者: 刘军山 罗怡 杜艳 刘冲 王立鼎 周伟红 杨秀荣
• 机 构: 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,中国科学院长春应用化学研究所电分析化学国家重点实验室,吉林大学南岭校区化学学院,中国科学院长春应用化学研究所电分析化学国家重点实验室
• 出 处: 分析化学
• 发表日期: 2005年4期
• 关键词: 聚甲基丙烯酸甲脂 电泳芯片 铜电极 集成 PMMA 正性光刻胶 葡萄糖溶液 湿法腐蚀 制作过程 烘烤温度 电极表面 二次曝光 循环伏安 电泳分析 Cu 热键合

在聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)上溅射金属Cu,然后利用光刻、湿法腐蚀的办法制出铜电极.与另一片含有微沟道的PMMA基片热键合,制成集成铜电极的电泳芯片.在电极制作过程中,对Cu表面上覆盖的正性光刻胶的前、后烘烤温度及时间进行了研究.对Cu腐蚀液的选择及其浓度的确定进行了分析.首次提出采用二次曝光的办法去除铜电极表面的光刻胶.为了证明该种方法的可行性,在制作的一种集成铜电极的PMMA芯片上,进行了循环伏安及动态伏安实验,采用安培法对葡萄糖溶液的电泳分析进行检测.