【摘 要】
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作为光纤通信系统用的探测器,日本富士通实验室研制了一种1.3μm波长下具有最佳P~+-n结构的Ge雪崩光电二极管。采用全离子注入和低温退火工艺制造了这种光电二极管。 在0.9V
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作为光纤通信系统用的探测器,日本富士通实验室研制了一种1.3μm波长下具有最佳P~+-n结构的Ge雪崩光电二极管。采用全离子注入和低温退火工艺制造了这种光电二极管。 在0.9V_B的偏压下暗电流低至0.15μA。倍增因子为10的条件下,得到8～9很低的噪声因子。在1.3μm波长下平坦频率响应的范围可达500MHz。当有Si_3N_4防反射涂层时量子效率高达84％。
As a detector for optical fiber communication systems, Fujitsu Laboratories of Japan has developed a Ge avalanche photodiode with an optimal P ~ + -n structure at a wavelength of 1.3μm. This photodiode is fabricated using all-ion implantation and low-temperature annealing. The dark current is as low as 0.15 μA at a bias of 0.9V_B. With a multiplication factor of 10, a very low noise factor of 8 to 9 is obtained. The flat frequency response can reach 500MHz at 1.3μm wavelength. When Si_3N_4 anti-reflective coating quantum efficiency up to 84%.
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