C~+离子注入改善C~+注入多层TiN/Ti膜特性

来源 :中国科学E辑:技术科学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xianxing599
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用金属蒸发真空弧离子源(MEVVA)引出的C~+注入了多弧离子镀TiN多层膜C~+注入TiN膜的硬度随注入量和束流密度的增加而增加.X射线分析(XRD)表明,在注入的膜中TiC相已经形成,退火前后TiN(111)和TiC(111)为优先生长相,Auger分析表明在单层TiN膜中碳原子按Gauss型分布,在多层TiN/Ti膜中注入碳原子为多峰的分布.由此可见用C~+离子注入形成Ti(C,N)/TiN/Ti(C,N)/TiN和Ti(C,N)/TiC/Ti(C,N)/TiC多层结构.这种结构的形成明显改善了TiC镀层特性. The hardness of C ~ + implanted TiN multilayers with multi-arc ion plating was increased with the increase of implantation volume and beam current by using C ~ + ion implantation from MEVVA. X-ray diffraction (XRD) It is shown that TiC phase has been formed in the implanted film and TiN (111) and TiC (111) are preferentially grown before and after annealing. Auger analysis shows that the carbon atoms in the single-layer TiN film are distributed by Gauss type, (C, N) / TiN and Ti (C, N) / TiC / Ti (C, N) / TiN C, N) / TiC multi-layer structure. The formation of this structure significantly improves the TiC coating properties.
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