【摘 要】
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4.低温生长 发展金属有机汽相外延的最初动机是为了降低生长温度,从而减少与高平衡Hg汽压及一般较高的扩散系数有关的材料问题。第一次生长碲镉汞时,使用了DMCd和DETe,这两
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4.低温生长 发展金属有机汽相外延的最初动机是为了降低生长温度,从而减少与高平衡Hg汽压及一般较高的扩散系数有关的材料问题。第一次生长碲镉汞时,使用了DMCd和DETe,这两种材料均需要410 ℃的衬底温度。Hoke等人首先提出把能够在较低温度下热解的DiPTe用作DETe的替换物。使用这种前驱物时的典型生长温度
4. Low-Temperature Growth The initial motivation for the development of metal-organic vapor-phase epitaxy was to reduce the growth temperature and thereby reduce the material issues associated with high equilibrium Hg vapor pressure and generally higher diffusion coefficients. The first growth of HgCdTe was made using DMCd and DETe, both of which require a substrate temperature of 410 ° C. Hoke et al. First proposed using DiPTe, which can pyrolyze at lower temperatures, as an alternative to DETe. Typical growth temperature when using this precursor
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