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设计出-种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS结构,分析了该结构的防穿通特性.提出了实现PDP选址驱动芯片的工艺流程及其基本参数;同时提出了HV-PMOS的厚栅氧刻蚀方法--多晶硅栅自对准刻蚀.文中最后对流水出的芯片进行了测试分析,证明所设计的芯片确实能满足实际要求.
PDP选址驱动芯片的设计与实现
【摘 要】
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设计出-种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS结构,分析了该结构的防穿通特性.提出了实现PDP选址驱动芯片的工艺流程及其基本参数;同时提出了HV-PMOS的厚栅氧刻蚀方法--多晶硅栅
【机 构】
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东南大学国家ASIC系统工程中心
【出 处】
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应用科学学报
【发表日期】
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2003年2期
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