【摘 要】
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由烧结法制备了5Sb2O5·95SnO2（mol%）陶瓷靶材,以所制靶材利用射频磁控溅射法在石英玻璃基片上制备得到高质量的Sb∶Sn O2（ATO）透明导电薄膜,研究了热处理温度对ATO薄膜的结
【机 构】
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武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室,湖北第二师范学院建筑与材料工程学院
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由烧结法制备了5Sb2O5·95SnO2（mol%）陶瓷靶材,以所制靶材利用射频磁控溅射法在石英玻璃基片上制备得到高质量的Sb∶Sn O2（ATO）透明导电薄膜,研究了热处理温度对ATO薄膜的结构和光学与电学性能的影响。结果表明：热处理对ATO薄膜的相结构,结晶质量及性能均有一定的影响。随着温度升高,所制薄膜的晶粒尺寸逐渐长大,方块电阻逐步减小,最小值为9.3Ω/;红外反射率先增大后减小,并在热处理温度为600℃时达到极大值,为89%。薄膜可见光透过率均在80%以上,温度为600℃时最高达到91
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