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针对目前向高速高密度发展的集成电路,将器件热破坏的模型建立在非傅里叶导热分析上,从而按破坏时间的长短将破坏分为三个区域,即波区、绝热区和稳定区.对常功率输入下的体缺陷,给出了每个区域内输入功率P_f随破坏时间t_f的变化规律.
半导体击穿过程的热分析
【摘 要】
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针对目前向高速高密度发展的集成电路,将器件热破坏的模型建立在非傅里叶导热分析上,从而按破坏时间的长短将破坏分为三个区域,即波区、绝热区和稳定区.对常功率输入下的体缺
【机 构】
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清华大学工程力学系,清华大学工程力学系北京100084,北京100084,北京100084
【出 处】
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工程热物理学报
【发表日期】
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1993年3期
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