【摘 要】
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报道了和于驱动ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关的高速ＧａＡｓ驱动器的设计与制作。测试结果为：同相输出时，上升时间６ｎｓ，延迟时间４．８ｎｓ，下降时间６ｎｓ，延迟时间４ｎｓ；反相输出时，上升时间６．５ｎｓ，延迟时间３ｎｓ，下降时间１０ｎｓ，延迟时间６．７ｎｓ。与ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关进行了
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报道了和于驱动ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关的高速ＧａＡｓ驱动器的设计与制作。测试结果为：同相输出时，上升时间６ｎｓ，延迟时间４．８ｎｓ，下降时间６ｎｓ，延迟时间４ｎｓ；反相输出时，上升时间６．５ｎｓ，延迟时间３ｎｓ，下降时间１０ｎｓ，延迟时间６．７ｎｓ。与ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关进行了联试，结果不仅没有影响开关的射频特性，而且开关速度仍保持原来的水平。
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