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本文首次用具有衬底的薄膜Si样品SOS和共振核反应~(27)Al(p,γ)~(26)Si,于能量E_p=774keV和992keV,系统地研究了质子在固体中能损的结构效应问题。实验结果表明,对于MeV级的质子束,在Si元素固体的单晶、多晶、非晶中电子阻止本领有明显的差别,相对偏差至少大于5％,这个实验的测量误差小于3％。