两步法制备性能优良的ZnO纳米线

• 作 者: 张秋香 张永胜 白伟 郁可 朱自强
• 机 构: 华东师范大学电子科学技术系,洛阳工业高等专科学校计算机系
• 出 处: 华东师范大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2007年3期
• 关键词: ZNO纳米线 光致发光 场发射 ZnO nanowires photoluminescence field emission

利用热蒸发和溶液浸泡两步法制备了性能优良的ZnO纳米线，研究了这些ZnO纳米线的光致发光和场发射特性．与直接采用热蒸发方法生长的ZnO纳米线相比，由该方法得到的ZO纳米线表现出了更好的紫外发光特性，同时发生5nm的蓝移，场发射测试表明其开启电场和阈值电场分别达到2．3V／μm和6．8V／μm．该方法适用于制备光致发光和场发射性能优良的ZnO纳米线．