（SrZrO3）（10）（SrTiO3）（90）缓冲层对PZT结晶及性能的影响

• 作 者: 辛红 苏未安 王艳阳
• 机 构: 西安建筑科技大学理学院,江西理工大学理学院
• 出 处: 硅酸盐通报
• 发表日期: 2009年5期
• 关键词: 缓冲层 薄膜 结晶 (SZO)10(STO)90 buffer layer thin film crystallization （SZO）10（STO）90

采用Sol-gel法制备了PbZr0.52Ti0.48O3（PZT）薄膜,并研究了（SrZrO3）10（SrTiO3）90（（SZO）10（STO）90）缓冲层对PZT薄膜结晶和性能的影响。X射线衍射（XRD）结果表明：（SZO）10（STO）90缓冲层对PZT薄膜结晶有取向诱导作用,由（SZO）10（STO）90诱导的PZT薄膜有很强的（111）择优取向,缓冲层将PZT薄膜的取向度α由45.0%提高到了90.1%以上;PZT的（111）择优取向提高了薄膜的电性能,使剩余极化强度Pr从26.8μC/cm2