a—SiC：H薄膜的中子辐照研究

来源 :强激光与粒子束 | 被引量 : 0次 | 上传用户：farzision

【摘要】

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用射频(13.56MHz)反应溅射法制备了a-SiC:H 薄膜,并将制得的薄膜采用高能中子(14MeV)进行辐照.采用电阻率、Raman谱及红外光谱对薄膜的结构与特性变化规律进行了表征.分析结

【作者】

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刘贵昂谢二庆王天民

【机构】

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湛江海洋大学,兰州大学,北京航空航天大学

【出处】

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强激光与粒子束

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

a-SiC:H薄膜中子辐照非晶碳石墨化碳化硅 Films Graphitization Infrared transmission Neutron ir

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用射频(13.56MHz)反应溅射法制备了a-SiC:H 薄膜,并将制得的薄膜采用高能中子(14MeV)进行辐照.采用电阻率、Raman谱及红外光谱对薄膜的结构与特性变化规律进行了表征.分析结果表明:所得a-SiC:H薄膜中存在多余的非晶态碳.随着中子辐照剂量的增加,a-SiC:H薄膜中SP2C=C键增加,即其中的碳存在类石墨化的趋势.中子辐照后薄膜的电阻率的略微减小现象,可用缺陷对载流子的捕获模型进行解释.

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