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采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2：Sb薄膜。所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜。PL谱表明，样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰，发光峰的起因分别与SnO2薄膜中的氧空位缺陷及掺杂所致的施主-受主对之间的跃迁以及电子由其激发态向基态能级跃迁等因素有关。
锑掺杂对二氧化锡薄膜结构及发光性质的影响
【摘 要】
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采用射频磁控溅射方法在石英玻璃衬底上制备了SnO2：Sb薄膜。所制备的薄膜为四方金红石结构的多晶薄膜。PL谱表明，样品在396、450、500nm附近存在室温光致发射峰，发光峰的起因分
【机 构】
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山东大学物理学院
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2008年9期
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