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采用有效质量框架下一维有限深势阱模型对InGaAsP多量子阱的组分和阱宽之间的关系进行了计算，利用更符合实验结果的Harrison模型来计算带阶，分别就晶格匹配和应变补偿两种情况进行了比较计算，最后根据要制作的全光功能开关的性能指标对计算结果进行了选择，得到最适合于制作光开关的材料。
制备全光功能开关的多量子阱材料设计
【摘 要】
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采用有效质量框架下一维有限深势阱模型对InGaAsP多量子阱的组分和阱宽之间的关系进行了计算，利用更符合实验结果的Harrison模型来计算带阶，分别就晶格匹配和应变补偿两种情况
【机 构】
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华中科技大学光电子工程系,中国地质大学数理学院
【出 处】
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光学与光电技术
【发表日期】
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2006年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金（60477024）资助项目
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