【摘 要】
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据日本《O Plus E》1990年第131期报道,日本东京工业大学和住友公司共同开发能控制每一层氧化物的新的薄膜制作技术.由于采用MBE法和受激准分子激光器,用RHEED(反射高速电子
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据日本《O Plus E》1990年第131期报道,日本东京工业大学和住友公司共同开发能控制每一层氧化物的新的薄膜制作技术.由于采用MBE法和受激准分子激光器,用RHEED(反射高速电子衍射)法确认在硅衬底上氧化钠堆积的厚度(20～30层),若应用这种技术,制作新的氧化物超导薄膜和约瑟夫逊器件绝缘膜等,还可开发量子性能陶瓷.
According to the Japanese “O Plus E” No. 131, 1990 reported that Japan’s Tokyo Institute of Technology and Sumitomo Corporation jointly developed to control each layer of oxide new film production technology.Because of MBE method and excimer laser, with RHEED (Reflecting High-Speed Electron Diffraction) method, the thickness of the sodium oxide deposited on the silicon substrate (20 to 30 layers) is confirmed, and if this technique is used, a new oxide superconducting thin film, a Josephson device insulating film, Quantum performance ceramic.
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