【摘 要】
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低密度低膨胀系数高热导率硅铝合金封装材料及制备方法专利申请号:03119606·3公开号:CNl531072申请人:北京有色金属研究总院本发明公开一种低密度低热膨胀系数高热导率的Si-
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低密度低膨胀系数高热导率硅铝合金封装材料及制备方法专利申请号:03119606·3公开号:CNl531072申请人:北京有色金属研究总院本发明公开一种低密度低热膨胀系数高热导率的Si-Al合金封装材料及其制备方法,按重量百分比计,该合金成分为Si 50~70,Al为余量。按合金成分配料,将原料
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