微小尺寸立方氮化硼晶体蓝紫光发射光谱的测量与分析

• 作 者: 刘海波 贾刚 徐仲晖 孟庆巨 孙晓冰
• 机 构: 吉林大学电子科学与工程学院,黑龙江大学电子工程学院,长春理工大学光电信息技术学院
• 出 处: 光谱学与光谱分析
• 发表日期: 2010年3期
• 关键词: 立方氮化硼单晶 蓝紫光辐射 能谷 梯度矫正局域密度近似(GGA) Cubic boron nitride erystal Blue-violet light-

对于微小尺寸的N型宽禁带立方氮化硼（CBN）半导体晶体,在施加恒稳电场的情况下,观察到电致发光现象。通过置CBN单晶样品于光栅单色仪抛物面反射镜焦点的方法,对于CBN的蓝紫光辐射获得了测试系统的最大入射光通量和理想的信噪比。在350~450 nm波长范围内,CBN加上4.7×106V.cm-1恒稳电场条件下,测量出立方氮化硼的蓝紫光发射光谱。同时,结合基于第一性原理的GGA方法计算出的立方氮化硼能带结构和电子态密度,以及测量得到的非线性j-E关系和电击穿特性,讨论了发光机理。提出了在雪崩击穿前的