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【摘 要】
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在双极和BiMOS工艺中,用三层缓变外延层代替单层恒定浓度的厚外延层,使高压器件缩小了15～40％。由于结隔离热周期的缩短和表面耗尽扩散的减小,使按比例缩小尺寸成为可能。
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1991年4期
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