英飞凌将与松下电器联袂推出常闭型600VGaN功率器件

• 出 处: 半导体技术
• 发表日期: 2015年4期
• 关键词: 功率器件 松下电器 常闭式 GaN 功率开关 管结构 硅基板 氮化镓

近日，英飞凌和松下电器宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式（增强型）硅基板氮化镓（GaN）晶体管结构，与英飞凌的表贴（SMD）封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合。