基于0.13μm CMOS工艺的毫米波宽带LNA设计

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针对5G通信技术在毫米波频段的应用,设计了一种25~30 GHz的低噪声放大器(LNA)。为了在毫米波频段实现高增益,采用了三级电路级联结构,第一级采用共源结构,第二、三级采用共源共栅(cascode)结构,在共源管和共栅管之间加入级间电感,消除级间寄生电容和抑制共栅管的输出噪声。添加反馈网络来优化电路,利用En-In噪声模型对反馈网络进行噪声分析,优化LNA噪声性能。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,采用ADS软件平台对LNA进行仿真。实验结果表明:在25~30 GHz频段内性能良好,S11小于
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