【摘 要】
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芯片小型化和超薄化的趋势促使晶圆级封装（WLP）技术变得更为普及。由于金属及低介电材料叠层制造的芯片后段（BEOL）薄膜层间黏合特性对WLP的切割良率以及产品出厂后的可靠性有很大
【机 构】
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中芯国际集成电路制造（北京）有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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芯片小型化和超薄化的趋势促使晶圆级封装（WLP）技术变得更为普及。由于金属及低介电材料叠层制造的芯片后段（BEOL）薄膜层间黏合特性对WLP的切割良率以及产品出厂后的可靠性有很大的影响。提出了一种新型的芯片整体黏合性能的评估方法——拉伸实验,包括样品选取规则,拉伸实验样品的制备,成功的拉伸实验判定准则,以及对断裂样品的断裂面及拉力强度的分析方法。有两种典型的芯片拉伸曲线分别对应了脆性断裂（断裂面位于金属层上方的Si O2薄层）和韧性断裂（断裂面基本在凸块工艺的聚酰亚胺层或与白胶的接触面）。对WLP芯片来说
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