【摘 要】
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本文报导台面结构的锑化铟光电二极管低的暗电流构成,反偏加到～700mV,体g-r和分路电阻是主要的电流机理。大反偏,则隧道(效应)电流将占优势,正偏大于15mV时,体扩散电流占优势
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本文报导台面结构的锑化铟光电二极管低的暗电流构成,反偏加到～700mV,体g-r和分路电阻是主要的电流机理。大反偏,则隧道(效应)电流将占优势,正偏大于15mV时,体扩散电流占优势。偏压在-820到80mV范围,同时温度在75-90K范围的暗电流数据与理论相吻合,该理论考虑了体和表面扩散、体和表面g-r、分路电阻以及隧道效应。
This article reports the low dark current composition of the mesa-indium antimonide photodiode with a back-bias of ~ 700mV. Body g-r and shunt resistance are the main current mechanisms. Large reverse bias, the tunnel (effect) current will be dominant, positive bias greater than 15mV, the body diffusion current dominant. Bias voltages range from -820 to 80 mV while dark current data at temperatures ranging from 75-90 K coincide with the theory that considers volume and surface diffusion, body and surface g-r, shunt resistance, and tunneling effects.
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