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静电放电现象是导致集成电路损坏的一个重要原因，目前绝大多数集成电路中的ESD保护电路都是在硅片上实现的，这将占用一定的硅片面积，提升电路的成本。如果能够在多晶硅层（垂直空间）实现ESD保护器件，就能够节约一定的面积，从而节约成本。介绍了对于在多晶硅上实现的静电保护器件的研究结果。
ESD保护器件在多晶硅上的实现
【摘 要】
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静电放电现象是导致集成电路损坏的一个重要原因，目前绝大多数集成电路中的ESD保护电路都是在硅片上实现的，这将占用一定的硅片面积，提升电路的成本。如果能够在多晶硅层（垂直空
【机 构】
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上海交通大学微电子学院
【出 处】
：
信息技术
【发表日期】
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2008年12期
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