带2阶补偿的CMOS带隙基准电压源

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基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有低温度系数、带2阶补偿的带隙基准电压源。在传统放大器反馈结构带隙基准源的基础上,利用MOS器件的“饱和电流与过驱动电压成平方关系”产生2阶补偿量,对传统的带隙基准进行高阶补偿。具有电路实现简单,容易添加到传统带隙基准电路的优点。仿真结果表明,设计的基准电压源在5V电源电压下功耗为860μW,最低工作电压为1.24V,在-50℃~125℃的温度范围内获得了1.42×10-5/℃的温度系数,低频时的电源抑制比达到-86.3dB。 Based on the CSMC 0.5μm CMOS process, a bandgap reference with low temperature coefficient and 2-order compensation is designed. Based on the band gap reference of the traditional amplifier feedback structure, the second-order compensation amount is generated by using the “saturation current versus over-drive voltage square relationship” of the MOS device to compensate for the traditional bandgap reference. With the circuit to achieve simple, easy to add to the traditional bandgap reference circuit advantages. The simulation results show that the designed voltage reference has a power dissipation of 860μW at 5V supply voltage and a minimum operating voltage of 1.24V. The temperature coefficient of 1.42 × 10-5 / ℃ is obtained in the temperature range of -50 ℃ ~ 125 ℃, The power supply rejection ratio at low frequencies reaches -86.3dB.
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