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采用脉冲激光沉积方法制备CaCu3Ti4O12薄膜，研究了其介电常数、交流电导与温度和频率的关系．实验结果表明，CaCu3Ti4O12外延薄膜的介电常数e在（1kHz，300K）时高达14700，是目前该体系最好的结果；在1kHz，100-300K温区内，ε基本保持恒定，热稳定性好、介电损耗低．该特性表明，CaCu3Ti4O12薄膜材料有可能成为信息存储器件更新换代最现实的候选材料．提出薄膜大的内应力可能是其出现巨介电常数的原因，电导与温度及频率的关系是由电子、声子与外电场的共同作用决定的．