【摘 要】
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用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗
【机 构】
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中国科学院固体物理研究所!合肥230031,中国科学院固体物理研究所!合肥230031,复旦大学表面物理国家重点实验室!上海200433,中国科学院固体物理研究所!合肥230031
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用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒 .InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成正比 ,但是并不满足t1/3 的关系 .另外 ,还通过X射线衍射以及X射线光电子能谱对InSb SiO2 复合薄膜的结构和成分进行了分析
The nanostructured InSb particles embedded in SiO2 films were prepared by radio frequency magnetron measurement.The transmission electron microscopy results showed that the nanostructured InSb particles were uniformly embedded in the SiO2 media.Through the control of the heat treatment conditions, the particles with different particle sizes InSb nanoparticles .InSb particles size and heat treatment temperature and time is proportional to, but does not satisfy the relationship t1 / 3. In addition, by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy of InSb SiO2 composite film structure and composition analysis
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