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对ＳｉＣ粒子进行子多种预处理工艺试验，得出ＳｉＣ粒了在９２０℃高温焙烧氧化，再在ＨＦ酸（１．５ｖｏｌ．）％）与丙酮混合液、丙酮中清洗球磨工艺是较优的预处理工艺。应用搅熔铸造工艺，处理后的ＳｉＣ颗粒能较易分散到含镁的ＺＡ－２７合金流中，用ＳＥＭ、ＥＤＳ、ＸＲＤ和ＴＥＭ测定和分析了预处理前后ＳｉＣ表面状态，得出ＳｉＣ颗粒表面物理，化学吸附的气体是阻止其分散进入ＺＡ－２７合金流的主要原因，ＳｉＣ表面的微